EN13161801490
·硅基氮化镓LED外延片( (2英寸、4英寸、6英寸、8英寸)
·D-mode和 E-mode
·击穿电压800V至1200V
用途：手机射频开关、快速充电、无线充电、数据中心、新能源汽车充电等领域
| 晶体参数 Crystal | |
|---|---|
| 1.1 生长方法Growing Method | MOCVD |
| 1.2 晶向Orientation | <111> 晶向 |
| 1.3 厚度thickness | 5~5.5um |
| 1.4 表面覆盖物/厚度 | GaN /2-2.5nm |
| 1.5GaN质量 | <600”(002 ) |
| <1000”(102) | |
| 1.6 HEMT 组分 |
AlxGal-xN，0.2 |
| 1.7 ALN 中间层 | 1-2nm |
| 电学参数 Electrical | |
| HEMT结构二维电子气浓度 | >8E12/cm² |
| 机械参数 Mechanical | |
| 直径Diameter | 150±0.2mm |
| 表面处理 | |
| 裂纹 Crack (Edge 5 mm 以内) | 无 |
| 表面处理 | |
|---|---|
| 裂纹 Crack (Edge 5 mm 以内) | 无 |
