EN13161801490
Si<111>1000±20um Epi：AlGaN/GaN, 5-5.5um
英文名称：6”-Si-based GaN EPI Wafer
适用范围：6”GaN 生产片。
| 晶体参数 Crystal | |
|---|---|
| 1.1 生长方法Growing Method | MOCVD |
| 1.2 晶向Orientation | <111> 晶向 |
| 1.3 厚度thickness | 5~5.5um |
| 1.4 表面覆盖物/厚度 | GaN /2-2.5nm |
| 1.5GaN质量 | <600”(002 ) |
| <1000”(102) | |
| 1.6 HEMT 组分 |
AlxGal-xN，0.2 |
| 1.7 ALN 中间层 | 1-2nm |
| 电学参数 Electrical | |
| HEMT结构二维电子气浓度 | >8E12/cm² |
| 机械参数 Mechanical | |
| 直径Diameter | 150±0.2mm |
| 表面处理 | |
| 裂纹 Crack (Edge 5 mm 以内) | 无 |
| 表面处理 | |
|---|---|
| 裂纹 Crack (Edge 5 mm 以内) | 无 |
